[发明专利]一种石英晶体的生长方法

摘要

本发明公开了一种石英晶体的生长方法，包括步骤：1)对原晶坯料进行切割以获得片状籽晶并清洗籽晶：其中，籽晶的切割方向为：沿x方向或Z方向、或沿Z－Y之间为任意角度的方向；2)将籽晶水平放置，并在籽晶上面相继放置金属或有机材料的薄膜和挡板，且将三者固定在一起；3)将固定好的籽晶连同挡板一同放入高压釜内的碱溶液中，保持籽晶的水平状态进行石英的单面生长。本发明提出的通过遮挡的方式进行单面石英的生长方法，与背景技术双面生长石英的方法比较，不仅能生长出质量更高的完整光学单晶，而且能够在同样的生长时间和生长空间的情况下，比背景技术中效率提高了一倍。

主权项

1、一种石英晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1)对原晶坯料进行切割以获得片状籽晶并预处理籽晶：其中，籽晶的切割方向为：沿x方向或Z方向、或沿Z-Y之间为任意角度的方向；切割后将籽晶浸泡在HF酸或NH4F溶液中10-30分钟，之后再用清洗液进行清洗；2)将籽晶水平放置，在籽晶上面放置金属或有机材料的薄膜，薄膜上方用挡板遮挡，且将三者固定在一起；挡板和薄膜的材料为不影响晶体质量的金属材料或有机材料；挡板和薄膜的外形尺寸不小于要长成的石英晶体的外形尺寸；3)将固定好的籽晶连同挡板一同放入高压釜内的碱溶液中，保持籽晶的水平状态，高压釜内地碱溶液浓度为：0.6mol/L-1.5mol/L；生长压力为：120Mpa-150Mpa；生长温度：330℃-380℃，温差：15℃-30℃。