[发明专利]一种薄膜电解质及其制备方法无效
| 申请号： | 200810105929.5 | 申请日： | 2008-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101388261A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;刘亚栋;陈人杰;陈实;李丽;王国庆 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01B1/00 | 分类号： | H01B1/00;C04B35/00;C23C14/35;H01M6/18;H01M10/36 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 | 代理人： | 张利萍 |
| 地址： | 100081北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜电解质及其制备方法，是通过磁控溅射法制备具有NASICON结构的锂薄膜电解质，其具有较高的离子电导率、良好的化学稳定性、较宽的电化学稳定窗口、优良的机械性能及宽的应用温度范围。通过掺杂元素种类及比例的变化，得到不同性能的薄膜电解质，并通过溅射过程中氮气的引入，进一步改善了薄膜的性能。该薄膜电解质在薄膜锂电池、薄膜超级电容器、电致色变器件、传感器或其他新型电化学器件领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电解质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种薄膜电解质材料，其特征在于：组成成分可用Li-M-Ti-P-O-N来表示；以NASICON结构的LiTi2(PO4)3为基础，通过用三价离子Al3+、Sc3+、La3+、Cr3+、Fe3+、Tl3+、Eu3+、In3+、Y3+或四价离子Si4+分别部分取代其中的Ti4+或P5+形成Li1+xMxTi2-x(PO4)3或Li1+yTi2(P1-ySiyO4)3，或同时掺入上述多种元素取代；在N2气氛中溅射制备薄膜时掺入N元素，其中N在电解质中所占的质量分数为0％～27％；所制备薄膜为非晶态，通过高温退火处理，可制备成玻璃-陶瓷态；所述组成成分中的M，为Al、Sc、La、Cr、Fe、Tl、Eu、In、Y或Si中的一种或多种。
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