[发明专利]超薄硅基粒子探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；P区上方还设有基质层形成的缓冲台阶；N区优选通过TMAH腐蚀法形成，其外形呈倒圆台状，侧面和底面的夹角为54.74°；P区和N区表层均设有铝层。本发明还公开了所述探测器的制备方法。本发明探测器可很好地作为粒子鉴别的ΔE探测器应用于空间探测，核物理，医学检测和环境监测等领域。

主权项

1.一种超薄硅基粒子探测器，包括硅基片，所述硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层，所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层，其特征在于，所述P区周围设有保护环，所述保护环和所述P区不相接触；所述P区上方设有基质层形成的缓冲台阶；所述P区和所述N区表层均设有铝层。