[发明专利]一种静电放电保护电路有效
| 申请号： | 200810106100.7 | 申请日： | 2008-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101339941A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王钊;尹航 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电放电保护电路，包括第一接线端(VDD)和第二接线端(VM)，其特征在于还包括寄生场效应晶体管，所述寄生场效应晶体管的栅极和漏极相连，其源极和衬底相连，并且所述寄生场效应晶体管连接在第一接线端和第二接线端之间；当第二接线端出现相对第一接线端的正静电脉冲电压时，通过正向导通所述寄生场效应晶体管的漏极到其衬底的寄生二极管来泻放静电；当第二接线端出现相对第一接线端的负静电脉冲电压绝对值大于所述寄生场效应晶体管的导通阈值时，通过导通所述寄生场效应晶体管来泻放静电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护电路，包括第一接线端(VDD)和第二接线端(VM)，其特征在于还包括寄生场效应晶体管，所述寄生场效应晶体管的栅极和漏极相连，其源极和衬底相连，并且所述寄生场效应晶体管连接在第一接线端和第二接线端之间；当第二接线端出现相对第一接线端的正静电脉冲电压时，通过正向导通所述寄生场效应晶体管的漏极到其衬底的寄生二极管来泻放静电；当第二接线端出现相对第一接线端的负静电脉冲电压绝对值大于所述寄生场效应晶体管的导通阈值时，通过导通所述寄生场效应晶体管来泻放静电。
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