[发明专利]一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托有效
| 申请号： | 200810106313.X | 申请日： | 2008-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101580964A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;彭同华;杨慧;王文军;倪代秦;王皖燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于物理气相传输法生长高质量碳化硅晶体的籽晶托，该籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底表面上的致密膜层。该致密膜层在高温下稳定而且致密，消除了石墨基底由于多孔性带来的缺陷。由于膜层的致密性，抑制了晶体背面蒸发所产生的蒸气从石墨基底孔隙中逸出，消除了晶体生长过程中由背面蒸发导致的平面六角缺陷，极大地提高了碳化硅晶体质量及产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 质量 碳化硅 晶体 籽晶 | ||
【主权项】：
1、一种用于物理气相传输法生长碳化硅晶体的籽晶托，包括石墨基底和设置在石墨基底内表面上的致密膜层，其中，所述致密膜层是在SiC晶体生长温度下极其稳定的单层膜或者多层膜。
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