[发明专利]具有过压保护结构的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 200810107279.8 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101373805A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 江风益;汤英文;王立;章少华 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有过压保护结构的发光二极管芯片，该芯片用来解决在超过芯片额定电压情况下的对芯片的过压保护问题。其采用的技术方案为：包括衬底上的多层半导体结构；其中，多层半导体结构中的第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层之间还设有通过压敏材料实现过压保护的过压保护部，使过压保护部具有对多层半导体结构中的发光层形成过压保护功能。本发明可以用于芯片的电路过压保护和防静电保护。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 保护 结构 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有过压保护结构的发光二极管芯片，包括第一电极、第一掺杂半导体层、发光层、第二掺杂半导体层、第二电极和衬底；其中，第一掺杂半导体层、发光层和第二掺杂半导体层由上至下依次叠加在衬底的上方；其特征在于：所述第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层之间还设有通过压敏材料实现过压保护的过压保护部。
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