[发明专利]用于区域精制的多晶硅棒及其生产方法有效
申请号: | 200810107814.X | 申请日: | 2008-05-14 |
公开(公告)号: | CN101311351A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | M·索芬;H-C·弗赖海特;H·克劳斯 | 申请(专利权)人: | 瓦克化学有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B25/00;C30B28/14;C01B33/035 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈泊 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于FZ应用的多晶硅棒,其可由来自含硅的反应气的高纯硅在丝棒上沉积获得,所述含硅的反应气热分解或被氢气还原。 | ||
搜索关键词: | 用于 区域 精制 多晶 及其 生产 方法 | ||
【主权项】:
1、一种可由来自含硅的反应气的高纯硅在丝棒上的沉积获得的多晶硅棒,所述含硅的反应气热分解或被氢气还原,其中多晶硅棒具有至少四个不同的区域,每个区域在棒的径向截面上具有不同的微观结构,其中a)多晶硅细棒存在于最内部的区域A,即多晶硅棒的中心,b)沉积多晶硅的区域B存在于所述细棒的周围,其特征在于没有或仅非常少的针状晶体,c)在多晶硅棒的外部区域D中,针状晶体面积的比例小于7%,其中针状晶体的长度小于15毫米和针状晶体的宽度小于2毫米,且在多晶硅棒的该外部区域中,母体微晶的长度不超过0.2毫米,和d)在区域B和D之间存在混合区域C,其中晶体微观结构由区域B的微观结构逐渐变化至区域D的微观结构。
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