[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810107944.3 | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312179A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 荫山聪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件，包括：由相对介电常数比SiO2小的低介电常数材料制成的绝缘膜；在上述绝缘膜中形成的布线槽；在上述布线槽的至少侧面上形成的、由SiO2或SiCO制成的第1阻挡膜；埋设在上述布线槽中的以Cu为主成分的Cu布线；和覆盖上述Cu布线的与上述布线槽的对置面，且由含有Si、O及规定的金属元素的化合物制成的第2阻挡膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：由相对介电常数比SiO2小的低介电常数材料制成的绝缘膜；在上述绝缘膜中形成的布线槽；在上述布线槽的至少侧面上形成的、由SiO2或SiCO制成的第1阻挡膜；埋设在上述布线槽中的以Cu为主成分的Cu布线；和覆盖上述Cu布线的与上述布线槽的对置面，由含有Si、O及规定的金属元素的化合物制成的第2阻挡膜。
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