[发明专利]薄膜晶体管基板和显示器件有效
| 申请号： | 200810108563.7 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101330102A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 日野绫;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种技术，即使省略势垒金属层，也能够发挥优异的TFT特性，并能够将源－漏配线直接且确实地连接在TFT的半导体层上。在具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源－漏电极(28、29)的薄膜晶体管基板中，源－漏电极(28、29)由含有氧的含氧层(28a、29a)、和纯Cu或Cu合金的薄膜(28b、29b)构成。构成含氧层的氧的一部分或全部与薄膜晶体管的半导体层(33)的Si结合。另外，纯Cu或Cu合金的薄膜(28a、29a)经由含氧层(28a、29a)与薄膜晶体管的半导体层(33)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其具有薄膜晶体管的半导体层和源-漏电极，其特征在于，所述源-漏电极由含有氧的含氧层、和纯Cu或Cu合金的薄膜构成，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si相结合，所述纯Cu或Cu合金的薄膜经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。
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