[发明专利]液晶装置及电子设备有效

专利信息
申请号: 200810108564.1 申请日: 2008-05-27
公开(公告)号: CN101315476B 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 江口司 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种液晶装置,其中,PIN二极管(212)具备顺次层叠于绝缘膜(44)上的下电极(211a)、N半导体层(212b)、由多晶硅层构成的受光层(212c)、P型半导体层(212d)和上电极(212e)而构成。上电极(212e)构成形成在绝缘膜(47)上的导电膜(214)的一部分。即,PIN二极管(212)的上电极(212e)在TFT阵列基板(10)上,和绝缘膜(47)上形成的公共电极形成于同一层。因此,上电极(212e)可利用与形成公共电极的工序公共的工序形成,与利用分别独立的工序形成公共电极和上电极(212e)的情况相比,可以简化制造液晶装置的制造工艺。由此,例如,利用简便的制造工艺制造具有触摸面板功能的液晶装置。
搜索关键词: 液晶 装置 电子设备
【主权项】:
一种液晶装置,具备:第1基板;第2基板,其在所述第1基板上,被配置为与所述第1基板对置;透明的像素电极,其设置于构成所述第1基板上的显示区域的每个像素部;透明的公共电极,其形成在所述第1基板上;液晶层,其被夹持在所述第1基板与所述第2基板之间,包含由根据所述像素电极与所述公共电极各自的电位之差而产生的横向电场驱动的液晶分子;和受光元件,其在所述第1基板上形成于所述显示区域,具有元件主体和与元件主体的上面接触的上电极,所述上电极与所述像素电极和所述公共电极中的一方形成在同一层。
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