[发明专利]金属化工艺有效
| 申请号： | 200810108803.3 | 申请日： | 2008-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101393855A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 骆统;杨令武;苏金达;杨大弘;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属化工艺，首先提供半导体基材，此半导体基材具有至少一含硅导电区域。接着，提供改善结块现象(agglomeration phenomenon)的离子注入于含硅导电区域。再来，对此半导体基材进行第一热处理，以修复半导体基材表面。其次，形成金属层于此半导体基材表面，金属层覆盖含硅导电区域。然后，对覆盖有金属层的此半导体基材进行第二热处理，以于含硅导电区域上形成金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 工艺 | ||
【主权项】：
1. 一种金属化工艺，包括：(a)提供半导体基材，该半导体基材具有至少一含硅导电区域；(b)提供改善结块现象的离子注入于该含硅导电区域；(c)对该半导体基材进行第一热处理，以修复该半导体基材表面；(d)形成金属层于该半导体基材表面，该金属层覆盖该含硅导电区域；以及(e)对覆盖有该金属层的该半导体基材进行第二热处理，以于该含硅导电区域上形成金属硅化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810108803.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
