[发明专利]高功率发光装置有效
| 申请号： | 200810108805.2 | 申请日： | 2008-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101593800A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 林锦源 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率发光装置，具有未人为掺杂掺杂物的未掺杂型半导体层，未掺杂型半导体层包含周期结构。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，包含：支持基板；接合层，位于该支持基板之上；第一掺杂型半导体层，位于该接合层之上；发光层，位于该第一掺杂型半导体层之上；第二掺杂型半导体层，位于该发光层之上；以及未掺杂型半导体层，位于该第二掺杂型半导体层之上，其中该未掺杂型半导体层未被人为地掺杂掺杂物，而且具有周期结构位于其上表面，以及至少一开口向下延伸以裸露部分该第二掺杂型半导体层。
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