[发明专利]基板处理系统以及基板处理装置有效
| 申请号： | 200810108840.4 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101315877A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤亮;齐藤均 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/1333;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理系统和基板处理装置，能够不产生微粒而使等离子体均匀地分布在收容室内的空间。该基板处理系统(10)包括三个等离子体处理装置(13)和相对于各等离子体处理装置(13)对玻璃基板(G)进行搬入搬出的搬送室(11)，各等离子体处理装置(13)具有用于收容基板(G)的长方体形状的腔室(18)，腔室(18)只有侧壁(18a)与搬送室(11)相接，在所述侧壁(18a)上开设有与搬送室(11)连通的搬送口(31)，在与侧壁(18a)相对的侧壁(18b)上开设有开口部(32)，搬送口(31)的开口形状与开口部(32)的开口形状相同。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理系统，其包括多个基板处理装置以及相对于各所述基板处理装置对矩形的基板进行搬入搬出的搬送室，其中至少一个所述基板处理装置具有用于收容所述基板的正方体形状或者长方体形状的收容室，并且对所述基板实施等离子体处理，所述收容室只有一个侧壁与所述搬送室相接，在所述一个侧壁上开设有与所述搬送室连通的第一开口部，该基板处理系统的特征在于：在与所述一个侧壁相对的另一个侧壁上开设有第二开口部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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