[发明专利]静电放电防护装置

摘要

本发明是关于一种静电放电防护装置，所述的静电放电防护装置包括硅控整流器以及静电放电检测电路。硅控整流器耦接于高电压源与接地之间。静电放电检测电路用以检测是否发生静电放电事件。当静电放电检测电路检测到静电放电事件发生时，静电放电检测电路提供第一电压与第二电压至硅控整流器，以使硅控整流器提供第一放电路径。本发明提供的静电放电防护装置不受限于栓锁问题，能在低操作电压的应用下保护集成电路。

主权项

1.一种静电放电防护装置，其特征在于，所述的静电放电防护装置包括：一基底；一第一掺杂区，形成在所述的基底且包围一主动区，其中，所述的第一掺杂区耦接一第一节点；一第一金属氧化物半导体晶体管结构，位于所述的主动区的内部，包括：一第二掺杂区，形成在所述的基底且包括第一部份与第二部分，其中，所述的第二掺杂区耦接所述的第一节点；一第三掺杂区形成在所述的基底；以及一第一栅极，形成在所述的基底，且介于所述的第二掺杂区的第二部分与所述的第三掺杂区之间；一第二MOS晶体管结构，位于所述的主动区的内部，包括：一第四掺杂区，形成在所述的基底且包括第一部分与第二部分，其中，所述的第四掺杂区耦接一第二节点；一第五掺杂区，形成在所述的基底；以及一第二栅极，形成在所述的基底，且介于所述的第四掺杂区的第一部分与所述的第五掺杂区之间；其中，所述的第三掺杂区接近所述的第四掺杂区的第二部分，且所述的第五掺杂区接近所述的第二掺杂区的第一部份；一第六掺杂区，形成在所述的基底，且在所述的第一与所述的第二MOS晶体管结构的一侧，其中，所述的第六掺杂区耦接所述的第二节点；以及一第一井区，位于所述的主动区的内部，且形成在所述的基底，其中，所述的第一井区在部分的所述的第三掺杂区、部分的所述的第五掺杂区、所述的第四掺杂区、以及所述的第六掺杂区之下。