[发明专利]具有堆叠分立电感器结构的半导体功率器件有效
| 申请号： | 200810108970.8 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101383340A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 弗兰茨娃·赫尔伯特 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01F17/00;H01F27/29;H02M3/04 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华;翁若莹 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有堆叠分立电感器结构的半导体功率器件，其包括分立电感器，该分立电感器具有形成在其第一表面上的接触区和安装在其第一表面上并且连接到该接触区的至少一个半导体元件。分立电感器还包括在与第一表面相对的第二表面上形成的接触区和将第一表面接触区连接到相应的第二表面接触区的定线连接线。所述半导体元件可以倒装到分立电感器接触区或导线键合到其上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 分立 电感器 结构 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体功率器件，其特征在于，该半导体功率器件包括：具有在其第一表面上形成的接触区的分立电感器；和安装在分立电感器的第一表面上并且连接于所述接触区的至少一个半导体元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体股份有限公司，未经万国半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810108970.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
