[发明专利]硅脱模涂层、其制备方法及其使用方法无效
申请号: | 200810108986.9 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN101357393A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | R·容奇克 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | B22C3/00 | 分类号: | B22C3/00;C04B35/584;C04B41/50;C30B11/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林毅斌;李连涛 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种制备脱模涂层的方法,所述方法包括以下步骤:制备包含如下组分的混合物:(a)包含(i)20-99%重量硅和(ii)1-80%重量氮化硅的固体组分和(b)溶剂;将所得混合物施加到适合形成包含硅的锭或片的坩埚或石墨板的内部;在1000-2000℃、氮气气氛中对所述混合物进行热处理。本发明还可涉及脱模涂层和制备硅锭或片的方法,所述方法包括使用脱模涂层。 | ||
搜索关键词: | 脱模 涂层 制备 方法 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备包含硅的锭(108)或片的方法,所述方法包括以下步骤:制备包含如下的混合物:(a)包含(i)30-90%重量硅和(ii)10-70%重量氮化硅的固体组分和(b)水;将所得混合物施加到适合形成所述包含硅的锭(108)或片的坩埚(100)或石墨板;在1300-1500℃下、氮气气氛中对所述混合物进行热处理;将硅倒入坩埚(100)或石墨板中;使所述硅熔化;将所述坩埚(100)或石墨板冷却直到所述硅固化;和将所述包含硅的锭(108)或片从所述坩埚或石墨板移走。
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