[发明专利]包括阻挡金属和涂布膜的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810109142.6 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312163A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 寺本知惠理 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：提供在衬底上的互连层；提供在衬底上且提供在互连层上以覆盖该互连层的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜包括氧化硅膜；提供在第一绝缘膜上的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括氧氮化硅膜或氮化硅膜；和提供在第二绝缘膜上的绝缘的涂布膜。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 阻挡 金属 涂布膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：互连层，提供在衬底上；第一绝缘膜，提供在所述衬底上且提供在所述互连层上以覆盖该互连层，所述第一绝缘膜包括氧化硅膜；第二绝缘膜，提供在所述第一绝缘膜上，所述第二绝缘膜包括氧氮化硅膜或氮化硅膜；和绝缘的涂布膜，提供在所述第二绝缘膜上。
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