[发明专利]控制特征尺寸收缩的蚀刻工艺无效
| 申请号： | 200810109206.2 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290481A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王竹戌;宋新理;马绍铭 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/36 | 分类号： | G03F7/36;G03F7/09;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制特征尺寸收缩的蚀刻工艺。多层掩模包括形成在待刻蚀的衬底层上平版印刷图形化的光致抗蚀剂和未图形化的有机抗反射涂层(BARC)。使用有效的负性蚀刻偏置蚀刻该BARC层以减小在该多层掩模中的开口的特征尺寸至在该光致抗蚀剂中的平版印刷所确定的尺寸之下。该BARC蚀刻的有效的负性蚀刻偏置而后被应用到在衬底层中蚀刻具有减小的特征尺寸的开口。使用有效的负性蚀刻偏置在BARC中等离子体蚀刻开口，使用例如CHF3进行聚合化学反应。在另一个实施例中，该聚合化学反应提供使用高频耦合电源在相对低的功率在低压激发。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 特征 尺寸 收缩 蚀刻 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种方法包括：在等离子体蚀刻容器内提供在多层掩模之下的衬底层，该多层掩模包括位于具有第一特征尺寸的开口图形化的层之下的一未图形化的有机抗反射层；通过该有机抗反射层等离子体蚀刻具有特征尺寸的开口，该特征尺寸至少比该第一特征尺寸小20％；并且在该衬底层中等离子体蚀刻具有至少比该第一特征尺寸小20％的特征尺寸的开口。
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