[发明专利]发光二极管基板的制造方法无效
| 申请号： | 200810109237.8 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101276876A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 岩井靖;村上久敏 | 申请（专利权）人： | 大自达系统电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光二极管基板的制造方法，该制造方法用于使发光二极管高亮度化，而且没有使用粘合剂的粘合工序，可以高精度且低成本地形成具有所希望的形状和尺寸的反射部。该制造方法是在形成了回路的基板表面涂布导电性糊，将该导电性糊加热固化，在配置发光二极管的位置，通过具有圆锥台形状的顶部的钻机，将固化的导电性糊穿孔，从而形成具有作为反射部的锥形侧壁面的空间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、发光二极管基板的制造方法，该发光二极管基板具有用于使发光二极管高亮度化的反射部，其特征在于：在形成了回路的基板表面涂布导电性糊，将该导电性糊加热固化，在配置发光二极管的位置，通过具有圆锥台形状的顶部的钻机，将上述固化的导电性糊穿孔，从而形成具有作为反射部的锥形侧壁面的空间。
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