[发明专利]包含半导体芯片叠层的半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810109299.9 申请日: 2008-04-18
公开(公告)号: CN101290930A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: K·霍塞尼;J·马勒 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/07;H01L25/065;H01L25/16;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;魏军
地址: 德国新*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 包含半导体芯片叠层的半导体器件及其制造方法。本发明涉及包含半导体芯片叠层(1)的半导体器件(10)及其制造方法。半导体器件(10)包括作为半导体芯片叠层(1)的基底的至少一个下部半导体芯片(2)和至少一个上部半导体芯片(3)。绝缘中间片(4)设置在半导体芯片(2,3)之间。此外,连接元件(6)用线将半导体芯片(2,3)、中间片(4)和外部端子(7)彼此连接。
搜索关键词: 包含 半导体 芯片 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种半导体器件,包括:半导体芯片叠层(1),作为该半导体芯片叠层(1)的基底的至少一个下部半导体芯片(2),和至少一个上部半导体芯片(3);设置在半导体芯片(2、3)之间的绝缘中间片(4),以及将半导体芯片(2,3)、该中间片(4)和外部端子(7)彼此电连接的连接元件(6);其中该半导体器件具有在其下侧上的可表面安装的外部接触。
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