[发明专利]成膜方法

摘要

本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。在第三工序中，在向处理区域供给第二处理气体的同时，停止向处理区域供给第一处理气体。在第四工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。

主权项

1. 一种半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理区域内供给成膜用的第一处理气体和与所述第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在所述被处理基板上形成薄膜的方法，其特征在于：该方法包括以下交叉工序：向所述处理区域供给所述第一和第二处理气体的第一工序；停止向所述处理区域供给所述第一和第二处理气体的第二工序；在向所述处理区域供给所述第二处理气体的同时，停止向所述处理区域供给所述第一处理气体的第三工序；和停止向所述处理区域供给第一和第二处理气体的第四工序。