[发明专利]GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底无效
| 申请号： | 200810109546.5 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101319402A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 松本直树;佐藤史隆;中畑成二;冈久拓司;上松康二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | GaN晶体的生长方法及GaN晶体衬底。在此公开一种制造GaN晶体的方法，其涉及在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体。该方法包括以下步骤：制备GaN籽晶衬底，该GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于GaN晶体的热膨胀系数；以及在该GaN籽晶衬底上生长GaN晶体至少1mm的厚度。因此，可以提供一种制造GaN晶体的方法以及一种GaN晶体衬底，该方法可以抑制裂纹的产生并生长厚的GaN晶体。 | ||
| 搜索关键词： | gan 晶体 生长 方法 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种GaN晶体的生长方法，其用于在GaN籽晶衬底上生长GaN晶体，该方法包括以下步骤：制备所述GaN籽晶衬底，所述GaN籽晶衬底包括第一掺杂剂以使所述GaN籽晶衬底的热膨胀系数变得大于所述GaN晶体的热膨胀系数，以及在所述GaN籽晶衬底上生长所述GaN晶体至至少1mm的厚度。
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