[发明专利]直流感应器内永磁体的保护有效
| 申请号： | 200810109711.7 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101364472A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | T·维塔南;P·皮特里斯 | 申请（专利权）人： | ABB有限公司 |
| 主分类号： | H01F29/14 | 分类号： | H01F29/14;H01F37/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈江雄;何自刚 |
| 地址： | 芬兰赫*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及直流感应器内永磁体的保护，提供一种直流感应器，其包括磁芯结构(11)，磁芯结构(11)包括一个或多个磁隙(12)、插在磁芯结构(11)上的线圈(14)、定位在磁芯结构内的至少一个永磁体(15)，永磁体(15)的磁化对抗可由线圈(14)产生的磁化。磁芯结构适合形成主磁通路径和辅助磁通路径，其中主磁通路径适合传输可由线圈产生的主磁通，其中辅助磁通路径包括磁隙且适合引导磁通经过至少一个永磁体(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 感应器 永磁体 保护 | ||
【主权项】：
1.一种直流感应器，其包括：磁芯结构(11)，其包括一个或多个磁隙(12)，线圈(14)，其插在所述磁芯结构(11)上，至少一个永磁体(15)，其定位在所述磁芯结构内，所述永磁体(15)的磁化对抗可由所述线圈(14)产生的磁化，其特征在于，所述磁芯结构适合形成主磁通路径和辅助磁通路径，其中包括磁隙的所述主磁通路径适合传输可由所述线圈产生的主磁通，其中，包括磁隙的所述辅助磁通路径适合引导磁通通过至少一个永磁体(15)，并适合防止所述永磁体完全去磁。
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