[发明专利]改进量子分裂的氧化物基荧光物,生产方法及其设计准则有效
申请号: | 200810109828.5 | 申请日: | 2002-05-17 |
公开(公告)号: | CN101298556A | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | A·A·塞特卢尔;H·A·科曼佐;A·M·斯里瓦斯塔瓦 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01J1/63 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 韦欣华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 用Pr3+和Mn2+活化的铝酸锶和铝酸锶钙与硼酸镧和硼酸镧镁具有量子分裂荧光物质的特性。再掺杂Gd3+可达到改善的量子效率。设计量子分裂荧光物质的改进准则包括为促进能量迁移而需要在基质晶格中加入Gd3+和Mn2+。 | ||
搜索关键词: | 改进 量子 分裂 氧化物 荧光 生产 方法 及其 设计 准则 | ||
【主权项】:
1、一种以氧化物为主要成分的量子分裂荧光物质,该物质含有选自铝和硼元素的氧化物,至少一种选自锶、钙和镁的正电荷反离子;所述的氧化物掺杂了Pr3+和Mn2+离子;所述的荧光物质在用VUV辐射照射时具有量子分裂性能,所述荧光物质具有式La1-x-y-zGdxPryMnzB3O6的荧光物质,其中x是约0.005-0.99,y是约0.05-0.1,z是约0.005-0.5,并且x+y+z<1;或所述荧光物质具有式La1-x-yGdxPryMg1-2MnzB5O10的荧光物质,式中x是约0.005-0.995,y是约0.05-0.1,z是约0.005-0.5,并且x+y<1。
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