[发明专利]光电组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810109900.4 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101599518A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗良 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电组件的外延堆栈结构，包含：一基底；一缓冲层形成在基底上；一光电组件的具有多重结构层的外延堆栈结构形成在基底之上，其中外延堆栈结构包含第一半导体导电层、发光层、多重半导体结构层在第一半导体导电层及发光层之间及第二半导体导电层在发光层之上，其中，多重半导体结构层至少包含：复数个第一半导体结构层、复数个第二半导体结构层及复数个第三半导体结构层所构成，且每一第二半导体结构层堆栈在每一第一半导体结构层与每一第三半导体结构层之间，使得多重半导体结构层是以第一/第二/第三交错堆栈的方式形成在第一半导体导电层及发光层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电组件的外延堆栈结构，包括：一基底；一缓冲层，形成在该基底上，该缓冲层至少包含：一第一含氮化合物层，形成在该基底之上；一五族/二族化合物层，形成在该含氮化合物之上；一第二氮化合物层，形成在该五族/二族化合物层之上；及一第三氮化合物层，形成在该第二氮化合物层之上；一半导体外延堆栈结构，形成在该缓冲层之上，其中该半导体外延堆栈结构包含：一第一半导体导电层，形成在该缓冲层之上；具有一平均能隙的一多重半导体结构层，形成在该第一半导体导电层之上，至少包含：一第一半导体结构层；一第二半导体结构层；及一第三半导体结构层依序组成；提供具有一能隙的一发光层，形成在该多重半导体结构层之上，且该发光层的能隙(Eg，active)与该多重半导体结构层的平均能隙(Eg(avg，SRS))不相等，(Eg(avg，SRS))≠(Eg，active)；及提供一第二半导体导电层，形成在该发光层之上。
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