[发明专利]电子模块及其制造方法和应用有效
| 申请号： | 200810109982.2 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101325245A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | T·玛蒂拉;A·阿拉斯塔洛;M·艾伦;H·瑟帕 | 申请（专利权）人： | 芬兰国立技术研究中心 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02;G11C11/56;G06K19/07 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 芬兰埃*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明涉及电子模块，它包括由第一材料形成的至少一个第一材料区和与该第一材料区相邻的至少一个第二材料区，第一材料可借助于电相互作用而在结构上转变以便至少局部地增加其电导率，所述第一材料具有第一转变阈值。根据本发明，第二材料区由第二材料形成，该第二材料也可在结构上转变以便增加其电导率，第二材料具有比第一材料区的转变阈值低的第二转变阈值。借助于本发明，可实现可印刷存储器的后处理电可编程性和非易失性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 模块 及其 制造 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种形成电模块的方法，所述方法包括：对所述模块形成包括至少一个第一材料区和与所述第一材料区相邻的至少一个第二材料区的结构，所述第一材料区由第一材料形成，所述第一材料可借助于电相互作用而在结构上转变以便至少局部地增加其电导率，所述第一材料具有第一转变阈值，其特征在于，利用由第二材料形成的第二材料区，所述第二材料可在结构上转变以便增加其电导率，所述第二材料具有比所述第一材料区的转变阈值低的第二转变阈值。
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