[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法无效
申请号: | 200810110171.4 | 申请日: | 2008-06-13 |
公开(公告)号: | CN101325088A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 洪起夏;李晟熏;玄在雄;申在光;陈暎究;朴星一;金钟燮 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿道水*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法,所述操作方法为可靠地操作可高度集成的非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括在位线和共源线之间的串选择晶体管、多个存储晶体管和地选择晶体管。在非易失性存储装置中,可以通过将擦除电压施加到位线或共源线来从存储晶体管擦除数据。 | ||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1、一种操作非易失性存储装置的方法,包括:通过将擦除电压施加到位线和共源线中的至少一条来从多个存储晶体管擦除数据,其中,多个存储晶体管在位线和共源线之间。
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