[发明专利]用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法

摘要

一种氢气制造用过滤器的制造方法，过滤器使用的薄膜支持基板包括：金属基板；在金属基板一面上的多个柱状凸部；及在柱状凸部的非形成部位贯通金属基板地形成的多个贯通孔，柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20～90％的范围。该制造方法包括：在薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上形成树脂层，将贯通孔的内部填补并覆盖柱状凸部的树脂层形成工序；把树脂层平坦地除去使柱状凸部的上端面露出并与上端面构成同一平面的平坦化工序；在柱状凸部的上端面及树脂层构成的平坦面上用无电解及真空成膜法中的任一种，形成导电性基底层的基底层形成工序；在导电性基底层上用电镀形成Pd合金膜的膜形成工序；及只溶解树脂层并除去的除去工序。

主权项

1、一种氢气制造用过滤器的制造方法，是使用薄膜支持基板的氢气制造用过滤器的制造方法，其特征是，所述薄膜支持基板包括：金属基板；在该金属基板的一个面上形成的多个柱状凸部；及在该柱状凸部的非形成部位以贯通金属基板的方式形成的多个贯通孔，并且，柱状凸部的非形成部位的面积占柱状凸部形成面侧面积的20％～90％的范围，所述氢气制造用过滤器的制造方法包括：在所述薄膜支持基板的形成柱状凸部的面上形成树脂层，将所述贯通孔的内部填补并覆盖所述柱状凸部的树脂层形成工序；把所述树脂层平坦地除去，使所述柱状凸部的上端面露出，并与该上端面构成相同的同一平面的平坦化工序；在所述柱状凸部的上端面及树脂层构成的平坦面上，通过无电解及真空成膜法中的任何一种，形成导电性基底层的基底层形成工序；在所述导电性基底层上，通过电镀形成Pd合金膜的膜形成工序；及只溶解所述树脂层并除去的除去工序。