[发明专利]一种在炉管中沉积多晶硅的方法无效
申请号: | 200810110659.7 | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101603201A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 肖新民;邹同征;柴利林 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/12 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 屈小春 |
地址: | 215025江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种在炉管中沉积多晶硅的方法,包括:步骤一,在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内;步骤二,在一预定压力和第二温度下沉积多晶硅薄膜;步骤三,在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。采用本发明的技术方案可以避免温度和压力同时变化造成的炉管内壁上的薄膜剥落的问题,进而提高产品的合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 炉管 沉积 多晶 方法 | ||
【主权项】:
1、一种在炉管中沉积多晶硅的方法,其特征是,包括:步骤一,在常压和第一预定温度下将晶片送入炉管内;步骤二,在一预定压力和上述第一预定温度下沉积多晶硅薄膜;步骤三,在常压和第二预定温度下将晶片从炉管中取出。
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