[发明专利]半导体器件及形成其栅极的方法无效
| 申请号： | 200810110697.2 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101325158A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 吴泷虎 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/822;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的栅极的方法，包括：提供一种半导体衬底，其中有源区由隔离膜所限定；在所述有源区上形成栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上形成帽化层膜；以及在所述形成的表面上进行退火过程，然后在所述有源区的一部分上形成栅极。帽化层膜在栅极绝缘膜上形成，以防止栅极绝缘膜与后继栅极材料之间的反应，从而防止栅极功函数变化的现象并防止具有低介电常数的栅极绝缘体的产生。所述退火过程在氟气环境下进行以防止出现栅极绝缘膜中的陷阱位置，而该栅极可以是由金属组成的或完全由硅化物组成的栅极，从而降低EOT。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的栅极的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有由形成在其中隔离膜限定的有源区；然后在所述有源区上形成栅极绝缘膜；然后在所述栅极绝缘膜上形成帽化层膜；然后在所述具有帽化层膜和所述栅极绝缘膜的所述半导体衬底上进行退火过程；然后在所述有源区的帽化层膜上形成所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
