[发明专利]气相沉积系统无效
| 申请号： | 200810110795.6 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101591773A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 詹世雄;曾坚信 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种气相沉积系统，其包含：一离子产生区、一反应腔，以及一置于该产生区与该反应腔之间的多孔管。该产生区提供一第一元素的等离子。该多孔管将该第一元素的等离子及一第二元素汇集导入该反应腔。该第一元素的等离子及该第二元素于该反应腔中与一基板进行化学气相磊晶使成长一薄膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 系统 | ||
【主权项】：
1.一种气相沉积系统，其包含：一离子产生区、一反应腔，以及一置于该产生区与该反应腔之间的多孔管；该离子产生区解离具有第一元素的气体分子而提供一第一元素的等离子，该多孔管将该第一元素的等离子及一第二元素汇集导入该反应腔；该第一元素的等离子及该第二元素于该反应腔中与一基板进行化学气相磊晶使成长一薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进开发光电股份有限公司，未经先进开发光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810110795.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
