[发明专利]硅烷偶联剂皮膜的形成方法无效
| 申请号： | 200810111291.6 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101322967A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 天谷刚;河口睦行;齐藤知志;出口政史 | 申请（专利权）人： | 美格株式会社 |
| 主分类号： | B05D7/24 | 分类号： | B05D7/24;B05D3/00;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋亭;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜的方法。包括以下工序：在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序；将涂布了所述液体的金属表面，在25～150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序；将干燥的金属表面进行水洗的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷偶联剂 皮膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.硅烷偶联剂皮膜的形成方法，其特征在于，在金属表面形成硅烷偶联剂皮膜，包括以下工序：在金属表面涂布含有硅烷偶联剂的液体的工序，将涂布了所述液体的金属表面，在25～150℃的温度下且在5分钟以内进行干燥的工序，将干燥的金属表面进行水洗的工序。
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