[发明专利]直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

摘要

一种直接在SiO₂介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法，包括：在衬底层上制备栅电极；在栅电极上制备SiO₂介电层；在SiO₂介电层上制备并五苯薄膜；和在并五苯薄膜上分别制备源电极和漏电极；在SiO₂介电层上制备并五苯薄膜的步骤为：先用浓度5wt％～29wt％的氨水溶液超声清洗SiO₂介电层；再采用真空蒸镀的方法在经超声清洗SiO₂介电层沉积蒸镀并五苯薄膜，其沉积速度为0.001～0.04nm/s，真空度为1×10^-5mbar～1×10^-7mbar，温度为室温到60℃，沉积的并五苯薄膜厚度为30-100nm。该方法简单，安全和环保，且能获得高迁移率的晶体管。

主权项

1.一种直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法，包括：在衬底层上制备栅电极；在栅电极制备SiO2介电层；在SiO2介电层上制备并五苯薄膜；和在并五苯薄膜上分别制备源电极和漏电极；其特征在于，所述的在SiO2介电层上制备并五苯薄膜的步骤为：先用浓度5wt％～29wt％的氨水溶液超声清洗SiO2介电层；再采用真空蒸镀的方法在经氨水溶液清洗的SiO2介电层上蒸镀并五苯薄膜，其沉积速度为0.001～0.04nm/s，真空度为1×10-5mbar～1×10-7mbar，温度为室温到60℃，沉积的并五苯薄膜厚度为30-100nm。