[发明专利]基于MEMS技术的聚吡咯微型超级电容器及其制造方法无效
申请号: | 200810112278.2 | 申请日: | 2008-05-22 |
公开(公告)号: | CN101325130A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 尤政;王晓峰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/048;H01G9/025;H01G9/08;H01M10/00;H01M14/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 史双元 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于电容器的制造技术范围的一种基于MEMS技术的聚吡咯微型超级电容器及其制造方法,所述聚吡咯微型超级电容器的结构为:在硅基体的表面采用微加工技术制备金梳齿二维平面结构作为集流体,在集流体表面通过电沉积方法制备聚吡咯物质方法制备梳齿状聚吡咯活性电极,在梳齿状聚吡咯电极的表面及正负电极间覆盖一层凝胶状固态电解质,在上述结构表面覆盖一层聚酰亚胺材料完成微型超级电容器封装。所述基于MEMS的制造技术,具有工艺简单,适合批量制造等特点。所装微型超级电容器具有体积小、储能高、性能稳定等特点,在微机器人电子智能系统、化学传感器、战场敌我识别装置以及分布式战场传感器等等领域具有广泛的应用。 | ||
搜索关键词: | 基于 mems 技术 吡咯 微型 超级 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于MEMS技术的聚吡咯微型超级电容器,其特征在于,所述聚吡咯微型超级电容器的结构为:在硅基体的表面采用微加工技术制备出梳齿状的阳极金集流体和阴极金集流体,阳极金集流体和阴极金集流体依次交叉,阳极金集流体、阴极金集流体的全部梳齿各自汇集后同向引出形成二维平面电极对的梳齿状集流体,阳极金集流体引出为正电极,阴极金集流体引出为负电极;在梳齿状集流体表面通过电沉积方法覆盖聚吡咯活性物质,制备成为梳齿状聚吡咯活性电极,在梳齿状聚吡咯活性电极的表面及梳齿电极间覆盖一层凝胶状固态电解质,在上述结构表面再覆盖一层聚酰亚胺材料完成微型超级电容器封装。
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