[发明专利]一种制备高SiC颗粒体积分数高性能结构件工艺

摘要

本发明是一种制备高SiC颗粒体积分数高性能结构件工艺，在80℃－120℃对块状基体金属合金进行干燥处理后，在电阻炉中加热熔化，合金在完全熔化后保温静置20－30分钟；向保温静置后的合金液加入体积分数为10％－30％SiC颗粒，边加入边均匀搅拌，同时控制冷却到半固态温度区间，得到SiC体积分数为10％－30％的颗粒增强复合材料半固态浆料；高性能结构件的成形腔设计在挤压模具凹模腔的底部边缘水平方向；利用半固态挤压成形时液相和固相偏析和分离特点，用半固态挤压成形方法加工出高SiC体积分数颗粒增强金属基复合材料高性能结构件。本发明主要用于高性能结构件成形领域，可以实现高SiC颗粒体积分数高性能结构件的短流程、近终形的成形制造，还可以降低能源消耗，提高产品综合性能。

主权项

1、一种制备高SiC颗粒体积分数高性能结构件工艺，其特征是：(1)在80℃-120℃对块状基体金属合金进行干燥处理后，在电阻炉中加热熔化，合金在完全熔化后保温静置20-30分钟；(2)向保温静置后的合金液加入体积分数为10％-30％SiC颗粒，边加入边均匀搅拌，同时控制冷却到半固态温度区间，得到SiC体积分数为10％-30％的颗粒增强复合材料半固态浆料；(3)所述的SiC颗粒增强金属基复合材料半固态浆料在成形模具中挤压成形得到SiC颗粒体积分数为40％-60％的结构件：成形速度控制在80mm/s-140mm/s，模具预热温度设为200℃-300℃，成形压力设为400KN-600KN，保压时间设为5-10秒。