[发明专利]NROM器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200810112512.1 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587864A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 鲍震雷;宋立军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种NROM器件及其制作方法。所述NROM器件的制作方法包括：提供具有氧化硅-氮化硅-氧化硅三层结构的半导体衬底；在所述三层结构表面形成第一多晶硅层；蚀刻所述第一多晶硅层，以划分存储单元区域和外围电路区域；去除所述外围电路区域的三层结构；对所述存储单元区域和外围电路区域预清洗；在所述外围电路区域形成栅氧化层；在所述外围电路区域的栅氧化层上形成第二多晶硅层。所述NROM器件及其制作方法能避免预清洗影响NROM器件性能，降低了预清洗工艺的控制难度，减小了NROM器件的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | nrom 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种NROM器件的制作方法，其特征在于，包括：提供具有氧化硅-氮化硅-氧化硅三层结构的半导体衬底；在所述三层结构表面形成第一多晶硅层；蚀刻所述第一多晶硅层，以划分存储单元区域和外围电路区域；去除所述外围电路区域的所述三层结构；对所述存储单元区域和外围电路区域预清洗；在所述外围电路区域形成栅氧化层；在所述外围电路区域的栅氧化层上形成第二多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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