[发明专利]一种生长纳米折叠结构有源区外延片的方法无效
| 申请号： | 200810113324.0 | 申请日： | 2008-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101593675A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 朱建军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步骤2：利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱；步骤3：在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层；步骤4：在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 纳米 折叠 结构 有源 区外 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备具有纳米折叠有源区结构外延片的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先制备AlxInyGazN材料模版，其中x+y+z＝1，0≤x，y，z≤1；步骤2：利用纳米加工技术，在AlInGaN材料模版上制作AlInGaN纳米柱阵列，该AlInGaN纳米柱阵列包括多个AlInGaN纳米柱；步骤3：在AlInGaN纳米柱阵列、AlInGaN纳米柱和AlInGaN材料模版的上表面生长具有纳米折叠结构的有源区层；步骤4：在具有纳米折叠结构的有源区层上生长带有纳米孔阵列的p型GaN层，该p型GaN层填满AlInGaN纳米柱阵列的缝隙，完成外延片的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810113324.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：重力感测器及其应用的便携式电子设备
- 下一篇：含硫酸镁的喷墨油墨制剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
