[发明专利]多晶硅栅极、半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200810113689.3 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101593684A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;杜珊珊;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多晶硅栅极形成方法，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽暴露所述基底；形成覆盖所述牺牲层、所述沟槽侧壁及底壁的介质层；形成覆盖所述介质层并填充所述沟槽的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的所述介质层；去除所述牺牲层。本发明还提供了一种多晶硅栅极。可使形成的多晶硅栅极的根部缺陷得到改善。本发明还提供了一种半导体器件形成方法和一种半导体器件，可在形成后具有较少的多晶硅栅极根部缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅栅极形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽暴露所述基底；形成覆盖所述牺牲层、所述沟槽侧壁及底壁的介质层；形成覆盖所述介质层并填充所述沟槽的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的所述介质层；去除所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
