[发明专利]栅极形成方法有效
| 申请号： | 200810113694.4 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101593685A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;赵林林;黄怡;陈海华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种栅极形成方法，包括：在基底上形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成具有第一图形的掩模层，所述第一图形特征尺寸大于目标图形特征尺寸；利用包含第一图形特征尺寸参量在内的两个参量调整所述掩模层的修整工艺；执行所述掩模层的修整操作，获得具有第二图形的掩模层，所述第二图形特征尺寸等于目标图形特征尺寸；以所述具有第二图形的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。可更准确地控制掩模层的修整参数，以增强基底与基底之间修整操作的一致性，进而增强刻蚀后获得的栅极特征尺寸的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成具有第一图形的掩模层，所述第一图形特征尺寸大于目标图形特征尺寸；利用包含第一图形特征尺寸参量在内的两个参量调整所述掩模层的修整工艺；执行所述掩模层的修整操作，获得具有第二图形的掩模层，所述第二图形特征尺寸等于目标图形特征尺寸；以所述具有第二图形的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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