[发明专利]刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810113696.3 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101593692A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀方法，包括提供一具有介质层的衬底，所述介质层包括刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的中间介质层；用第一气体对所述中间介质层进行第一刻蚀，刻蚀停止在所述中间介质层内；用第二气体对所述刻蚀停止层和所述中间介质层进行第二刻蚀，第二刻蚀停止在所述刻蚀停止层内；在第二刻蚀之后还包括用第三气体对所述刻蚀停止层进行第三刻蚀，其中，第三气体对刻蚀停止层的刻蚀速率，大于第二气体对刻蚀停止层的刻蚀速率；第三气体对中间介质层的刻蚀速率小于第二气体对中间介质层的刻蚀速率。本发明的技术方案利用不同的刻蚀气体对介质层进行选择性的刻蚀，可以减小刻蚀后的中间介质层的根部的凹陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种刻蚀方法，包括：提供一具有介质层的衬底，所述介质层包括刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层上的中间介质层；用第一气体对所述中间介质层进行第一刻蚀，刻蚀停止在所述中间介质层内；用第二气体对所述刻蚀停止层和所述中间介质层进行第二刻蚀，其特征在于，第二刻蚀停止在所述刻蚀停止层内；在第二刻蚀之后还包括用第三气体对所述刻蚀停止层进行第三刻蚀，其中，第三气体对刻蚀停止层的刻蚀速率，大于第二气体对刻蚀停止层的刻蚀速率；第三气体对中间介质层的刻蚀速率小于第二气体对中间介质层的刻蚀速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
