[发明专利]MOS晶体管噪声模型形成方法、装置和电路模拟方法

摘要

一种MOS晶体管噪声模型的形成方法，包括：在常温下获得MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；根据MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f的数学关系如图所示，获得常温系数K_f0和A_f0的值；改变测试温度，获得MOS晶体管的在不同温度下电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；根据电流噪声密度Sid和频率f的数学关系获得与不同测试温度对应的K_f0·[1+B·(T/Tn-1)]和A_f0·[1+A·(T/Tn-1)]的值；拟合温度T与K_f0·[1+B·(T/Tn-1)]和A_f0·[1+A·(T/Tn-1)]的测试值，获得参数A和B的值。本发明还提供一种MOS晶体管噪声模型的形成装置及电路模拟方法，通过在MOS晶体管的噪声模型中加入温度的影响，使得在电路设计中模拟结果更为可靠。

主权项

1.一种MOS晶体管噪声模型的形成方法，其特征在于，包括：在常温下获得MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；根据所述测试值和MOS晶体管的电流噪声密度Sid和频率f的数学关系Sid={Kf0·[1+B·(TTn-1)]·gm2Cox·Weff·Leff2·fAf0·[1+A·(TTn-1)]}12,]]>获得常温系数K_f0和A_f0的值，其中，Tn为常温的温度，C_ox为MOS晶体管的栅介质层的单位面积电容，L_eff为MOS晶体管的有效沟道长度，W_eff为MOS晶体管的有效沟道宽度，g_m为MOS晶体管的跨导，T为温度，A和B为与温度相关参数；改变测试温度，获得MOS晶体管在不同温度下的电流噪声密度Sid和频率f对应的测试值；根据各温度下的测试值、常温系数K_f0和A_f0的值、以及电流噪声密度Sid和频率f的数学关系：Sid={Kf0·[1+B·(TTn-1)]·gm2Cox·Weff·Leff2·fAf0·[1+A·(TTn-1)]}12,]]>获得与不同温度对应的和的值；拟合温度T与和的值，获得参数A和B的值。