[发明专利]多晶硅栅极、侧墙、半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200810113994.2 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593687A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张世谋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多晶硅栅极形成方法，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽与基底之间夹有第一介质层；形成覆盖所述牺牲层及所述沟槽侧壁及底壁的第二介质层；刻蚀所述第二介质层，在所述沟槽侧壁形成具有弧面壁的侧墙；形成填充所述沟槽并覆盖所述牺牲层的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的多晶硅层，暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层；形成至少暴露填充所述沟槽的多晶硅层的阻障层；在暴露的所述多晶硅层上形成硅化物，形成多晶硅栅极。本发明还提供了一种半导体器件形成方法、一种侧墙形成方法、一种多晶硅栅极、一种侧墙和一种半导体器件。可扩大形成钴化硅时的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 栅极 侧墙 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅栅极形成方法，其特征在于，包括：在基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽与基底之间夹有第一介质层；形成覆盖所述牺牲层及所述沟槽侧壁及底壁的第二介质层；刻蚀所述第二介质层，在所述沟槽侧壁形成具有弧面壁的侧墙；形成填充所述沟槽并覆盖所述牺牲层的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的多晶硅层，暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层；形成至少暴露填充所述沟槽的多晶硅层的阻障层；在暴露的所述多晶硅层上形成硅化物，形成多晶硅栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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