[发明专利]等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 200810113999.5 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593669A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;王国华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/268;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/318;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；打开所述等离子体装置激励源，激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受等离子体激发，产生紫外线；产生的紫外线辐射半导体基底表面。本发明还提供一种应力氮化硅膜的形成方法。该方法的紫外线处理能够与等离子处理工艺原位进行，使工艺简化。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 腔室中 原位 紫外线 方法 应力 氮化 形成 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，其特征在于，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受所述等离子体激发，产生紫外线；产生的紫外线辐射半导体基底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
