[发明专利]高密度DNA测序芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200810114536.0 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101597640A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 李运涛;俞育德;余金中;于军;胡迪;任鲁风 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C12Q1/68 | 分类号： | C12Q1/68;C12M1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高密度DNA测序芯片，其特征在于，包括：一氧化铝薄膜，该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔；一DNA测序芯片的基片；其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成，将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面，形成池壁为氧化铝薄膜，池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。本发明具有密度高、成本低、操作简单、适于大规模工业化制作的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 dna 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度DNA测序芯片，其特征在于，包括：一氧化铝薄膜，该氧化铝薄膜上制备有蜂巢状的通孔；一DNA测序芯片的基片；其中该氧化铝薄膜上的蜂巢状的通孔是采用阳极氧化方法形成，将该氧化铝薄膜直接转移至DNA测序芯片的基片的表面，形成池壁为氧化铝薄膜，池底为DNA测序芯片的基片表面的微反应池阵列。
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