[发明专利]一种基于FET开关阵列的平板实时成像气体探测器

摘要

一种基于FET开关阵列的平板实时成像气体探测器，属于辐射成像领域。该探测器包括密闭气室(1)、漂移电极(2)、GEM膜(3)、FET阵列(12)、数据获取系统(8)等。漂移电极(2)、GEM膜(3)等都置于密闭气室(1)中；漂移电极(2)、GEM膜(3)的上、下表面通过高压分压电阻串(7)依此施加负高压；单层GEM膜上下表面电位差为300～400伏。射线经漂移区电离，产生的电子经GEM雪崩放大，由读出电极pad阵列(5)收集；FET阵列(12)控制选择、顺序读出到数据获取系统(8)上传给数据处理及显示计算机(9)。本发明利用FET开关阵列实现实时成像，大大减少所需的电子学通道数目，降低了成本。

主权项

1、一种基于FET阵列的平板实时成像气体探测器，其特征在于，该探测器包括密闭气室(1)、漂移电极(2)、2～3层GEM膜(3)、读出PCB板(4)、读出电极pad阵列(5)、FET阵列(12)、高压输入(6)及高压分压电阻串(7)、数据获取系统(8)、数据处理及显示计算机(9)和射线入射窗(10)；漂移电极(2)、2～3层GEM膜(3)、读出PCB板(4)、读出电极pad阵列(5)、高压分压电阻串(7)都置于密闭气室(1)中；最上方一层是漂移电极(2)，加有高压输入(6)，以下是2～3层GEM膜(3)，2～3层GEM膜(3)层叠在读出PCB板(4)上；漂移电极(2)、2～3层GEM膜(3)的上、下表面通过高压分压电阻串(7)依此施加上不同的负高压；密闭气室(1)中充满工作气体；在密闭气室(1)的上方开有射线入射窗(10)，射线通过入射窗(10)沿入射方向(11)入射到探测器中由漂移电极(2)和第一层GEM组成的漂移区，并在此电离产生电子，电子经过GEM的雪崩放大，收集到读出电极pad阵列(5)上；读出电极pad阵列(5)与FET阵列(12)相连，由FET阵列(12)控制选择、顺序读出到数据获取系统DAQ(8)上；数据获取系统DAQ(8)与数据处理及显示计算机(9)相连。