[发明专利]一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200810114986.X | 申请日： | 2008-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101319387A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 聂家财 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B23/02;H01B12/06;B82B3/00;C23C14/08;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人： | 王德桢 |
| 地址： | 100875北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：利用脉冲激光沉积法等方法，在单晶基片上生长CeO2或YSZ缓冲层超薄膜；制得的CeO2或YSZ薄膜样品为“生长态”薄膜样品；将“生长态”薄膜样品制成带CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片；在利用脉冲激光沉积法等方法在带有CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片上生长高温超导薄膜。本发明提出了一套简单、可行的实验方法制备缓冲层和高温超导体纳米结构及其阵列，可实现缓冲层和高温超导体纳米结构及其阵列的可控生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 超导体 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温超导体纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)CeO2或YSZ缓冲层纳米结构的制备①沉积：利用脉冲激光沉积法或其它沉积方法，在单晶基片上生长CeO2 或YSZ缓冲层超薄膜；所述CeO2或YSZ薄膜的沉积速率为每个激光脉冲0.02～0.10nm，所述CeO2或YSZ薄膜厚度控制在1～20nm，制得的CeO2或YSZ薄膜样品为“生长态”薄膜样品；②退火：将“生长态”薄膜样品放入管式炉或纤维电阻炉中或原位，通入流动的氧气，在1000～1400℃的条件下退火10～60分钟，然后冷却至室温，制得带CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片；2)高温超导材料纳米结构的界面自组装生长利用脉冲激光沉积法或其它沉积方法在带有CeO2或YSZ纳米结构缓冲层的基片上生长高温超导薄膜；所述高温超导薄膜厚度控制在10～100nm；由此得到的高温超导薄膜具有相应的纳米结构。
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