[发明专利]制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法无效
| 申请号： | 200810115182.1 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101609743A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 张兴旺;高云;屈盛;陈诺夫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01F41/14 | 分类号： | H01F41/14;H01F10/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用双亲嵌段共聚物PS-P4VP在甲苯中自组装成反胶束，然后将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中，形成金属盐负载的反胶束；步骤2：利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列，并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列；步骤3：用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO2保护层；步骤4：保护气氛下对样品进行高温退火，完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 平行 取向 fept 磁性 纳米 复合 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：利用双亲嵌段共聚物PS-P4VP在甲苯中自组装成反胶束，然后将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中，形成金属盐负载的反胶束；步骤2：利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列，并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列；步骤3：用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO2保护层；步骤4：保护气氛下对样品进行高温退火，完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810115182.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种基于FePt磁性层的磁记录介质及其制备方法
- 取向控制生长L1<SUB>0</SUB>－FePt的方法
- 一种掺杂稀土元素的FePt:RE非晶态合金纳米材料的制备方法
- 一种优化L1<sub>0</sub>-FePt薄膜微结构的方法
- 一种超高密度有序的磁性纳米颗粒复合薄膜的制备方法
- 一种依次包覆纳米粉末核体合成L1<sub>0</sub>-FePt的化学方法
- 一种水浴交替还原制备L1<sub>0</sub>-FePt纳米颗粒的方法
- 一种超高密度磁记录用FePt/X纳米复合薄膜及其制备方法
- 一种超高密度热辅助磁记录用FeRh/FePt双层薄膜及其制备方法
- 一种基于FePt纳米探针筛选厌氧菌中药抑制剂的方法
