[发明专利]差频混频级联掺镁近化学比铌酸锂全光波长转换器无效
申请号: | 200810115553.6 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101308311A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 陈云琳;刘刚;瞻鹤 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | G02F1/35 | 分类号: | G02F1/35;G02F1/365 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 100044*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种差频混频级联掺镁近化学比铌酸锂全光波长转换器,利用掺杂镁的近化学剂量比铌酸锂(Mg∶SLiNbO3)作材料,在室温下不存在光折变损伤问题,无需进行高温补偿,简化了系统,降低了成本;由于提高晶体的锂铌比和掺杂镁,极大地降低晶体的矫顽场,降低了极化脉冲电压,提高晶体的制作厚度,有利于光能量耦合进器件;采用反质子交换技术制作出PRE光波导,能有效降低波导损耗,提高非线性转换效率;利用扇形光栅结构,在同一晶片上可以获得多个周期连续变化的波导,提高了器件的灵活性,使材料得到充分利用;在不降低转换效率和不改变波长转换输出谱的前提下,实现了超宽带的N×M的多波长通道转换。 | ||
搜索关键词: | 混频 级联 掺镁近 化学 铌酸锂全光 波长 转换器 | ||
【主权项】:
1.一种高抗光损伤的宽带可调谐全光波长转换器的制作方法,其特征在于,选择一种基于掺镁的近化学计量比铌酸锂(Mg:SLiNbO3)晶片,在晶片上制作反质子交换光波导PRE;然后对晶片进行室温电场极化,以实现晶片极化畴反转,在晶片上获得周期范围为17~19μm的扇形微结构,从而得到性能稳定和低损耗的宽调谐范围的全光波长转换器。
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