[发明专利]一种金属氧化物纳米颗粒状纳米阵列材料的制备方法无效
申请号: | 200810115593.0 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101319407A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 曹传宝;于雪莲 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C30B30/02 | 分类号: | C30B30/02;C30B29/16;H01F41/30;C25D1/00;C25D5/02;C25D7/00;B82B1/00;B82B3/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 | 代理人: | 张利萍 |
地址: | 100081北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明是一种金属氧化物纳米颗粒状纳米阵列材料制备方法,涉及高密度磁存储材料和生物医用材料。该方法以多孔聚碳酸酯或氧化铝作为模板,调节电沉积液中硼酸浓度以控制沉积溶液pH2~5和沉积电压1.0~5.0V,组装金属原子进入到聚碳酸酯或氧化铝模板孔中形成管状或柱状结构,最后通过热处理的方法得到金属氧化物纳米颗粒状纳米阵列材料。制备的磁性金属氧化物纳米颗粒状纳米阵列材料具备中空的管状结构及良好磁性能,是应用于信息储存,药物定向释放的适合材料。此方法流程短,控制方便,使用溶剂少,环境污染小,具有巨大潜在的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 氧化物 纳米 颗粒状 阵列 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种金属氧化物纳米颗粒状纳米阵列材料的制备方法,其特征在于:分别以多孔聚碳酸酯或多孔氧化铝为模板,采用直流电沉积法制备单质磁性金属及合金一维纳米阵列结构,之后采用热处理的方法除去模板得到氧化物纳米颗粒状纳米阵列结构,具体步骤为:(1)以聚碳酸酯膜或多孔氧化铝为模板,并在模板的一面磁控溅射一定厚度的铜层作为工作电极;用石墨棒作为对电极,金属硫酸盐和硼酸作为电沉积溶液;调节硼酸的用量使其电沉积溶液的PH值控制在2-5范围内,控制电压1.0-5.0V及沉积时间0.5-5min以制备不同长径比的纳米管阵列;(2)电沉积后,将填充有金属的模板用蒸馏水反复冲洗后,置于马弗炉中,经过500-1000℃高温热处理0.5-5h,冷却至室温后,收集所得产物即得氧化物纳米颗粒状纳米阵列结构材料。
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