[发明专利]一种低压铝栅工艺实现方法有效
| 申请号： | 200810116072.7 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101621032A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 黎智;谭志辉;李如东;李若加 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/285;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低压铝栅工艺方法，对高浓度N型杂质注入区中N型离子的掺杂采用注入掺杂的方法替代传统低压铝栅工艺方法中使用炉管扩散掺杂的方法，使得N型离子的掺杂能够得到精确控制；并且使用LPTEOS工艺替代传统低压铝栅工艺中的LTO工艺，使得生长出的LPTEOS介质层相对致密，台阶覆盖性较好，产品批间均匀性较好，从一定程度上增强了工艺的稳定性和工艺质量。另外，由于采用P阱光刻版进行VTN的光刻，不需要再单独制作VTN光刻版，降低了工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 工艺 实现 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低压铝栅工艺实现方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A、对衬底进行光刻，注入及推进形成P阱；步骤B、通过光刻及注入制作高浓度N型杂质NPLUS注入区和高浓度P型杂质PPLUS注入区；步骤C、淀积四乙基原硅酸盐TEOS；并对淀积生长的低压四乙基原硅酸盐LPTEOS介质层进行退火；步骤D、反向PPLUS注入区光刻；去除曝光区域的所述LPTEOS介质层，保留PPLUS上的介质层；去除光刻胶；栅氧生长；步骤E、N型金属-氧化物-半导体NMOS阈值电压VTN光刻及注入；步骤F、P型金属-氧化物-半导体PMOS阈值电压VTP普注并对注入的杂质退火；步骤G、制作接触孔、金属连接层和钝化保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810116072.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
